Chemical vapor deposition
Uit Wikipedia, de vrije encyclopedie
(Doorverwezen vanaf CVD-proces)
Chemical vapor deposition, afkorting CVD (letterlijk vertaald “chemische dampdepositie”) is een chemisch opdampproces waarbij een dunne laag materiaal op een substraat (ondergrond) wordt aangebracht.
Inhoud |
[bewerken] Onderverdeling
Het opdampproces kan weer onderverdeeld worden in;
- APCVD – Atmospheric pressure chemical vapor deposition. Opdampproces onder atmosferische druk.
- ACVD of ALCVD – Atomic layer chemical vapor deposition. Opdampproces waarbij lagen gecontroleerd laag voor laag kunnen worden aangebracht.
- HFCVP – Hot filament chemical vapour deposition. Opdampproces onder hoge temperatuur.
- LPCVD – Low-pressure chemical vapor deposition. Opdampproces onder gereduceerde atmosferische druk.
- MOCVD – Metal organic chemical vapor deposition. Opdampproces waarbij het opgedampte materiaal gebaseerd is op metaal-organische verbindingen.
- PECVD – Plasma enhanced chemical vapor deposition. Opdampproces geschikt voor een lagere temperatuur.
- RTCVD – Rapid thermal chemical vapor deposition. Versneld opdampproces waarbij alleen het substraat wordt opgewarmd.
- RPECVD – Remote plasma enhanced chemical vapor deposition. Opdampproces gelijk aan het PECVD proces waarbij het substraat niet in direct contact met de plasma-reactiekamer staat. Hierdoor kan het proces bij (de relatief lagere) kamertemperatuur plaatsvinden.
[bewerken] Geschiedenis
De term Chemical vapor deposition werd voor het eerst gebruikt door John M. Blocher. Al in 1852 vermeldde de Duitse chemicus Robert Bunsen het proces.
[bewerken] Proces
Op het al dan niet verwarmde substraat (oppervlak) wordt als gevolg van een chemische reactie, waarbij een materiaal overgaat van de vaste naar de damptoestand, een dunne laag opgedampt.
[bewerken] Toepassingen
- chip productie
- Metaliseren van kunststoffen
- Coaten van metalen ( boren en beitels)
- Coaten van papier
- kunstmatige diamantschijven voor technische toepassing
- Productie van zonnecellen
