Galliumnitride

Gallium(III)nitride
Structuurformule en molecuulmodel
Kristalstructuur van gallium(III)nitride, ■ Ga ■ N
Een stukje gallium(III)nitride
Kristallen gallium(III)nitride
Algemeen
Molecuulformule	${\ce {GaN}}$
IUPAC-naam	Gallium(III)nitride
Molmassa	83,730 g/mol
SMILES	[Ga]#N
CAS-nummer	25617-97-4
PubChem	LW9640000
Wikidata	Q411713
Beschrijving	geel poeder
Fysische eigenschappen
Dichtheid	6,1 g/cm³
Smeltpunt	> 1600 °C
Onoplosbaar in	water
Brekingsindex	2,429
Thermodynamische eigenschappen
ΔfHos	−110,2 kJ/mol
Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar).
Portaal    Scheikunde

Galliumnitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3,7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een X-band-zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.