Galliumnitride

Gallium(III)nitride
Structuurformule en molecuulmodel
	Kristalstructuur van gallium(III)nitride, ■ Ga ■ N
	Een stukje gallium(III)nitride
	Kristallen gallium(III)nitride
Algemeen
Molecuulformule
IUPAC-naam	Gallium(III)nitride
Molmassa	83,730 g/mol
SMILES	[Ga]#N
CAS-nummer	25617-97-4
PubChem	LW9640000
Beschrijving	geel poeder
Fysische eigenschappen
Dichtheid	6,1 g/cm³
Smeltpunt	> 1600 °C
Onoplosbaar in	water
Brekingsindex	2,429 (589 nm, 20 °C)
Thermodynamische eigenschappen
ΔfHos	−110,2 kJ/mol
Tenzij anders vermeld zijn standaardomstandigheden gebruikt (298,15 K of 25 °C, 1 bar).
Portaal	Scheikunde

Gallium nitride (GaN) is een halfgeleider met een vrij grote band gap (3,7 eV) die rond de millenniumwisseling zeer in de belangstelling is gekomen. Het materiaal is geschikt voor het maken van vastestoflasers met golflengten in het ultraviolette gebied van het elektromagnetisch spectrum. Galliumnitride kan daarom van groot belang worden voor het maken van displays (bijvoorbeeld computerschermen) en in de ruimtevaart omdat, wegens de grote band gap, galliumnitride bestand is tegen de ruimtestraling. Een X-band-zender gebaseerd op GaN werd in mei 2013 gelanceerd aan boord van de PROBA-V-satelliet.

Bronnen, noten en/of referenties

Dit artikel of een eerdere versie ervan is een (gedeeltelijke) vertaling van het artikel Gallium nitride op de Engelstalige Wikipedia, dat onder de licentie Creative Commons Naamsvermelding/Gelijk delen valt. Zie de bewerkingsgeschiedenis aldaar. Met name gegevens in de infobox zijn ontleend aan de Engelse Wikipedia.

Externe link Toepassing in Europese PROBA-V satelliet

Verwijzingen in de tekst

↑ ^a ^b Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0
↑ Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Journal of Applied Physics 96 (5): 2501. DOI: 10.1063/1.1772878.
↑ Foster, Corey M.; Collazo, Ramon; Sitar, Zlatko; Ivanisevic, Albena (2013). abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride. Langmuir 29 (1): 216–220. PMID: 23227805. DOI: 10.1021/la304039n.

Externe link[bewerken | brontekst bewerken]

[b92-1] Haynes, William M., ed. (2011). CRC Handbook of Chemistry and Physics (92nd ed.). Boca Raton, FL: CRC Press. p. 4.64. ISBN 1-4398-5511-0

[melting-2] Harafuji, Kenji; Tsuchiya, Taku; Kawamura, Katsuyuki (2004). Molecular dynamics simulation for evaluating melting point of wurtzite-type GaN crystal. Journal of Applied Physics 96 (5): 2501. DOI: 10.1063/1.1772878.

[3] Foster, Corey M.; Collazo, Ramon; Sitar, Zlatko; Ivanisevic, Albena (2013). abstract NCSU study: Aqueous Stability of Ga- and N-Polar Gallium Nitride. Langmuir 29 (1): 216–220. PMID: 23227805. DOI: 10.1021/la304039n.

[1]

[2]

[3]