Physical vapor deposition: verschil tussen versies

Uit Wikipedia, de vrije encyclopedie
Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud
Thijs!bot (overleg | bijdragen)
BotMultichill (overleg | bijdragen)
k robot Erbij: zh:PVD
Regel 32: Regel 32:
[[fr:Dépôt physique par phase vapeur]]
[[fr:Dépôt physique par phase vapeur]]
[[ja:物理気相成長]]
[[ja:物理気相成長]]
[[zh:PVD]]

Versie van 12 mei 2007 13:31

IJskristal afzetting (rijp) op een boom is een natuurlijk PVD proces.

PVD (Physical Vapor Deposition) is het fysisch aanbrengen van een stof door dampafzetting.

Onderverdeling

Het opdampproces kan zo worden onderverdeeld:

  • Bij gereduceerde atmosferische druk:
    • PVD (Physical Vapor Deposition)
    • Sputteren (ionplating/ionenimplantatie): In een plasma wordt een potentiaalverschil gecreëerd waardoor het spettert op het substraatoppervlak.
    • PLD (Pulsed laser deposition): Een pulserende laser dient als energiebron.
  • Bij normale druk:
  • Thin-Film Deposition (dunne laag afzetting): Opdampproces waarbij, net als met rijp, materiaal op een substraat (ondergrond) aangroeit.

Werkingsprincipe

Op het al dan niet verwarmde substraat wordt als gevolg van een fysische reactie, waarbij een materiaal overgaat van de vaste naar de damptoestand, opgedampt of neergeslagen.

Toepassingen

Zie ook