Gebruiker:Christophe desager/SRAM

Uit Wikipedia, de vrije encyclopedie

Inleiding[bewerken | brontekst bewerken]

SRAM staat voor Static Random Access Memory. Bij SRAM wordt de data opgeslagen in een individuele cel. In tegenstelling tot bij DRAM ( Dynamic Random Acces Memory ) wordt elke bit van de data opgeslagen in een individuele cel en wijzigt deze enkel als we deze bit overschrijven of als er geen stroom geleverd wordt.

Werking[bewerken | brontekst bewerken]

Schema SRAM met 6 transistoren

Een SRAM cel heeft 3 verschillende modes dat het kan aannemen : stand-by, lezen of schrijven.

Stand-by[bewerken | brontekst bewerken]

Het circuit is niet in gebruik. T5 en T6 scheiden de cel van de bit-lijnen. T1 - T4 zorgen ervoor dat de opgeslagen bit behouden wordt zolang er stroom voorzien is.

Lezen[bewerken | brontekst bewerken]

De lees cyclus wordt gestart door bitlijn A en Ā op te laden als een logische 1 of 0. Hierna wordt de adres lijn aangestuurd waardoor T5 en T6 geactiveerd worden. De waardes opgeslagen in T1-T3 en T2-T4 worden dan overgezet op de bit-lijnen. De opgeslagen waarde kan de afgelezen worden op bit-lijn A.

schrijven[bewerken | brontekst bewerken]

De schrijf cyclus wordt gestart door de logische waarde 1 of 0 op de bit-lijnen te zetten. In het geval van een logische 1 wordt A : 1 en Ā : 0, voor een logische 0 wordt A : 0 en Ā : 1. De adres lijn wordt hierna aangestuurd en de waarde wordt opgeslagen.


Types SRAM-cellen[bewerken | brontekst bewerken]

Het type cel wordt vooral bepaald door het aantal transistoren de cel bevat.

4T cel[bewerken | brontekst bewerken]

Een 4T cel bestaat uit 4 transistoren en 2 weerstand. 4T cellen hebben enkele nadelen. Er gaat stroom door maar 1 weerstand. Dit veroorzaakt een grote stroom. De cel is heel gevoelig aan ruis door de grootte van de weerstanden. Er zijn snellere opties.

6T cel[bewerken | brontekst bewerken]

Een 6T cel bestaat uit 6 transistoren. De 6T cel biedt een oplossing voor de beperkingen van de 4T cel. Ze is sneller en minder gevoelig aan ruis. De 6T wordt vooral gebruikt wanneer een laag verbruik noodzakelijk is.

TFT ( Thin Film Transistor ) cel[bewerken | brontekst bewerken]

Dit is een mengeling van een 4T en een 6T cel.

Voor- en nadelen t.o.v. DRAM[bewerken | brontekst bewerken]

SRAM is duurder maar sneller dan DRAM. Het verbruikt ook minder stroom. Daarom wordt SRAM verkozen boven DRAM als snelheid of verbruik belangrijk zijn. Voor toepassingen die een hogere capaciteit of lagere prijs vereisen, is DRAM meer gebruikt omdat SRAM veel grotere cellen heeft.