Fotoresist: verschil tussen versies

Verwijderde inhoud Toegevoegde inhoud

In de regel

Versie van 8 dec 2009 18:09

Een fotoresist is een materiaal dat onder invloed van UV-licht verandert:

Een negatief resist (NR) wordt hard door licht. De delen die zich achter het belichtingsmasker bevonden worden door de ontwikkelvloeistof weggespoeld.
Een positief resist (PR) wordt juist oplosbaar onder invloed van licht. De afgedekte delen blijven na het spoelen over.

@@ Regel 1: / Regel 1: @@
-Een '''fotoresist''' is een materiaal dat onder invloed van [[UV-licht]] verandert:
+Een '''fotoresist''' is een materiaal dat onder invloed van [[ultraviolet|UV-licht]] verandert:
-* Een positief resist (PR) wordt oplosbaar onder invloed van licht. De afgedekte delen blijven over na het spoelen.
+* Een negatief resist (NR) wordt hard door licht. De delen die zich achter het [[masker|belichtingsmasker]] bevonden worden door de [[ontwikkelen (fotografie)|ontwikkelvloeistof]] weggespoeld.
-* Een negatief resist (NR) wordt juist hard door licht. De delen die zich achter het [[belichtingsmasker]] bevonden worden door de [[ontwikkelingsvloeistof]] weggespoeld.
+* Een positief resist (PR) wordt juist oplosbaar onder invloed van licht. De afgedekte delen blijven na het spoelen over.
-[[Categorie: Materiaal]]
+[[Categorie:Materiaal]]
-[[Categorie: Licht]]
+[[Categorie:Licht]]
 [[de:Fotolack]]