Insulated-gate bipolar transistor

Uit Wikipedia, de vrije encyclopedie
Ga naar: navigatie, zoeken
Een IGBT die spanningen tot 3300V en stromen tot 1200A kan verwerken

De Insulated Gate Bipolar Transistor, afkorting: IGBT, is een transistor die veel vermogen kan schakelen en die met een kleine stuurspanning uit bijvoorbeeld een microprocessor aangestuurd kan worden. Dit type transistor combineert de gatekarakteristiek van een MOSFET-transistor met de mogelijkheid tot de grote stroom en lage verzadigingsspanning van een bipolaire transistor door een MOSFET en een bipolaire vermogenstransistor in een enkele behuizing te plaatsen. Omdat het blokkerende vermogen van een IGBT klein is wordt er een diode in serie geplaatst. Een IGBT heeft een relatief hoge doorlaatspanning ca. 3,5 Volt.

Zie ook[bewerken]